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S9S08RN16W2VTJR

S9S08RN16W2VTJR

僅供參考

型號 S9S08RN16W2VTJR
PNEDA編號 S9S08RN16W2VTJR
描述 IC MCU 8BIT 16KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S08RN16W2VTJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S08RN16W2VTJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
S9S08RN16W2VTJR, S9S08RN16W2VTJR數據表 (總頁數: 35, 大小: 704.92 KB)
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S9S08RN16W2VTJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度20MHz
連接性I²C, LINbus, SPI, UART/USART
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量16
程序存儲器大小16KB (16K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小256 x 8
RAM大小2K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 10x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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連接性

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外圍設備

LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

48

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 16x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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120

程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 32x8/10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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核心處理器

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核心大小

8-Bit

速度

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, WDT

I / O數量

31

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

OTP

EEPROM大小

-

RAM大小

236 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 3.6V

數據轉換器

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振蕩器類型

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

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程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

-

振蕩器類型

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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系列

Z8® GP™

核心處理器

Z8

核心大小

8-Bit

速度

8MHz

連接性

-

外圍設備

HLVD, POR, WDT

I / O數量

16

程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

OTP

EEPROM大小

-

RAM大小

237 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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