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S70GL02GS12FHBV20

S70GL02GS12FHBV20

僅供參考

型號 S70GL02GS12FHBV20
PNEDA編號 S70GL02GS12FHBV20
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S70GL02GS12FHBV20資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S70GL02GS12FHBV20
類別半導體內存IC內存

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S70GL02GS12FHBV20規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間120ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (13x11)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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Everspin Technologies Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

MRAM (Magnetoresistive RAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-FBGA (8x8)

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (256 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFBGA, WLCSP

供應商設備包裝

8-WLCSP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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