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S6E1B34G0AGV20000

S6E1B34G0AGV20000

僅供參考

型號 S6E1B34G0AGV20000
PNEDA編號 S6E1B34G0AGV20000
描述 IC MCU 32BIT 304KB FLASH 120LQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S6E1B34G0AGV20000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S6E1B34G0AGV20000
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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S6E1B34G0AGV20000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FM0+ S6E1B3
核心處理器ARM® Cortex®-M0+
核心大小32-Bit
速度40MHz
連接性CSIO, I²C, LINbus, SmartCard, UART/USART, USB
外圍設備I²S, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量102
程序存儲器大小304KB (304K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.65V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 24x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱120-LQFP
供應商設備包裝120-LQFP (16x16)

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

122

程序存儲器大小

1MB (1M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

8K x 8

RAM大小

96K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.62V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 16x12b; D/A 2x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

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程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.6V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 10x8/10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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程序存儲器大小

14KB (8K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 28x10b; D/A 1x5b, 1x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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核心處理器

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核心大小

-

速度

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

-

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

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振蕩器類型

-

工作溫度

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安裝類型

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程序存儲器大小

60KB (60K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

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RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.4V ~ 5.5V

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