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S3MHE3/9AT

S3MHE3/9AT

僅供參考

型號 S3MHE3/9AT
PNEDA編號 S3MHE3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3MHE3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3MHE3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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S3MHE3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 35V

電容@ Vr,F

1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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制造商

Infineon Technologies

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

PG-TO220-2-2

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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80V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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