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S3D-E3/57T

S3D-E3/57T

僅供參考

型號 S3D-E3/57T
PNEDA編號 S3D-E3-57T
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 30,738
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 八月 20 - 八月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3D-E3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3D-E3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S3D-E3/57T, S3D-E3/57T數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.81 KB)
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S3D-E3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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