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S29VS256R0SBHW010

S29VS256R0SBHW010

僅供參考

型號 S29VS256R0SBHW010
PNEDA編號 S29VS256R0SBHW010
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 24 - 六月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29VS256R0SBHW010資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29VS256R0SBHW010
類別半導體內存IC內存
數據表
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S29VS256R0SBHW010規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列VS-R
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率108MHz
寫周期-字,頁60ns
訪問時間80ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-VFBGA
供應商設備包裝44-FBGA (7.7x6.2)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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