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S200-50

S200-50

僅供參考

型號 S200-50
PNEDA編號 S200-50
描述 RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S200-50資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S200-50
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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S200-50規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)110V
頻率-過渡1.5MHz ~ 30MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益12dB ~ 14.5dB
功率-最大320W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55HX
供應商設備包裝55HX

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2.4dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

48 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

供應商設備包裝

SOT-23-6

55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

9.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

3-CP

MPS5179G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

190mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

10dB ~ 18.5dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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