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RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

僅供參考

型號 RN1106,LF(CT
PNEDA編號 RN1106-LF-CT
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 24,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1106資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1106,LF(CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1106規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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