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RMW150N03TB

RMW150N03TB

僅供參考

型號 RMW150N03TB
PNEDA編號 RMW150N03TB
描述 MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMW150N03TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMW150N03TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RMW150N03TB, RMW150N03TB數據表 (總頁數: 7, 大小: 504.24 KB)
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RMW150N03TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds831pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PSOP
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3094pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13178pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

412pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

420mW (Ta)

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