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RM25C256DS-LSNI-B

RM25C256DS-LSNI-B

僅供參考

型號 RM25C256DS-LSNI-B
PNEDA編號 RM25C256DS-LSNI-B
描述 IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM25C256DS-LSNI-B資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM25C256DS-LSNI-B
類別半導體內存IC內存
數據表
RM25C256DS-LSNI-B, RM25C256DS-LSNI-B數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,935.12 KB)
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RM25C256DS-LSNI-B規格

制造商Adesto Technologies
系列Mavriq™
內存類型Non-Volatile
內存格式CBRAM®
技術CBRAM
內存大小256kb (64B Page Size)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁100µs, 2.5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

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內存類型

Non-Volatile

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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