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RM24C256DS-LSNI-T

RM24C256DS-LSNI-T

僅供參考

型號 RM24C256DS-LSNI-T
PNEDA編號 RM24C256DS-LSNI-T
描述 IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM24C256DS-LSNI-T資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM24C256DS-LSNI-T
類別半導體內存IC內存
數據表
RM24C256DS-LSNI-T, RM24C256DS-LSNI-T數據表 (總頁數: 2, 大小: 227.83 KB)
PDFRM25C256DS-LTAI-T數據表 封面
RM25C256DS-LTAI-T數據表 頁面 2

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RM24C256DS-LSNI-T規格

制造商Adesto Technologies
系列Mavriq™
內存類型Non-Volatile
內存格式CBRAM®
技術CBRAM
內存大小256kb (64B Page Size)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁100µs, 2.5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

2µs

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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