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RJP65T54DPM-A0#T2

RJP65T54DPM-A0#T2

僅供參考

型號 RJP65T54DPM-A0#T2
PNEDA編號 RJP65T54DPM-A0-T2
描述 IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJP65T54DPM-A0#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJP65T54DPM-A0#T2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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RJP65T54DPM-A0#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.68V @ 15V, 30A
功率-最大63.5W
開關能量330µJ (on), 760µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用72nC
25°C時的Td(開/關)35ns/120ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-94
供應商設備包裝TO-3PFP

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PT

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90A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 36A

功率-最大

300W

開關能量

950µJ (on), 840µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

113nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

400V, 36A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

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IXYS

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

110A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/150ns

測試條件

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

320W

開關能量

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

157nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/229ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

153ns

工作溫度

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