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RGTH80TK65DGC11

RGTH80TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH80TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH80TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,792
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)31A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大66W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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26A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5.2V @ 15V, 21A

功率-最大

200W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/260ns

測試條件

1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

230ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

23A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

34W

開關能量

340µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/180ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 60A

功率-最大

595W

開關能量

1.59mJ (on), 660µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

318nC

25°C時的Td(開/關)

117ns/265ns

測試條件

400V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

96ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-3

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IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

13mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/360ns

測試條件

960V, 45A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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