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RGTH60TK65DGC11

RGTH60TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH60TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH60TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH60TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH60TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH60TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大61W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)27ns/105ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

320W

開關能量

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

75ns/315ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 75A

功率-最大

938W

開關能量

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/303ns

測試條件

600V, 75A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

292ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 45A

功率-最大

375W

開關能量

520µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

127nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/190ns

測試條件

400V, 45A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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