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RGTH40TK65DGC11

RGTH40TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH40TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH40TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH40TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH40TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH40TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 20A
功率-最大56W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)22ns/73ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

250µJ (on), 640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/240ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 16A

功率-最大

190W

開關能量

380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/116ns

測試條件

480V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/177ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

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58A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

功率-最大

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門禁費用

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測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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