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RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

僅供參考

型號 RGT60TS65DGC11
PNEDA編號 RGT60TS65DGC11
描述 IGBT 650V 55A 194W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT60TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT60TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT60TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
電流-集電極脈沖(Icm)90A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大194W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)29ns/100ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.35µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 10A

功率-最大

298W

開關能量

850µJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/165ns

測試條件

960V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/66ns

測試條件

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/78ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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