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RCD080N25TL

RCD080N25TL

僅供參考

型號 RCD080N25TL
PNEDA編號 RCD080N25TL
描述 MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,018
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RCD080N25TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RCD080N25TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RCD080N25TL, RCD080N25TL數據表 (總頁數: 8, 大小: 622.34 KB)
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RCD080N25TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)850mW (Ta), 20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CPT3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

680mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 275µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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