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R1RW0416DGE-2PR#B0

R1RW0416DGE-2PR#B0

僅供參考

型號 R1RW0416DGE-2PR#B0
PNEDA編號 R1RW0416DGE-2PR-B0
描述 IC SRAM 4M FAST 44-SOJ
制造商 Renesas Electronics America
單價
1 ---------- $238.1439
50 ---------- $226.9809
100 ---------- $215.8179
200 ---------- $204.6549
400 ---------- $195.3524
500 ---------- $186.0499
庫存 100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1RW0416DGE-2PR#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1RW0416DGE-2PR#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1RW0416DGE-2PR#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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