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R1LV3216RSD-5SI#B0

R1LV3216RSD-5SI#B0

僅供參考

型號 R1LV3216RSD-5SI#B0
PNEDA編號 R1LV3216RSD-5SI-B0
描述 IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 7,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV3216RSD-5SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV3216RSD-5SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV3216RSD-5SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小32Mb (4M x 8, 2M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
供應商設備包裝52-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

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內存接口

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訪問時間

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