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R1LV0816ABG-5SI#B0

R1LV0816ABG-5SI#B0

僅供參考

型號 R1LV0816ABG-5SI#B0
PNEDA編號 R1LV0816ABG-5SI-B0
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0816ABG-5SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0816ABG-5SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0816ABG-5SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (7.5x8.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

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95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

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