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PSMN4R0-30YL,115

PSMN4R0-30YL,115

僅供參考

型號 PSMN4R0-30YL,115
PNEDA編號 PSMN4R0-30YL-115
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 78,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN4R0-30YL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN4R0-30YL,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN4R0-30YL, PSMN4R0-30YL數據表 (總頁數: 14, 大小: 819.06 KB)
PDFPSMN4R0-30YL數據表 封面
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PSMN4R0-30YL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.15V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2090pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

455mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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