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PSDC312E8427618NOSA1

PSDC312E8427618NOSA1

僅供參考

型號 PSDC312E8427618NOSA1
PNEDA編號 PSDC312E8427618NOSA1
描述 MOD IGBT STACK PSAO-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSDC312E8427618NOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSDC312E8427618NOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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PSDC312E8427618NOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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400A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

80nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

CM300DU-24F

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制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

120nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

功率-最大

760W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

7.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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