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PN3563_D26Z

PN3563_D26Z

僅供參考

型號 PN3563_D26Z
PNEDA編號 PN3563_D26Z
描述 RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN3563_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN3563_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
PN3563_D26Z, PN3563_D26Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 528.99 KB)
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PN3563_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益14dB ~ 26dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

MCH4020-TL-E

ON Semiconductor

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

17.5dB

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

21GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

360mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 80mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

MS2553C

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.5dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M220

供應商設備包裝

M220

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制造商

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10dB ~ 15dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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