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PN2369_D26Z

PN2369_D26Z

僅供參考

型號 PN2369_D26Z
PNEDA編號 PN2369_D26Z
描述 TRANS NPN 15V 0.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN2369_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN2369_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PN2369_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)400nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 10mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 10mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 300mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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Through Hole

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