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PMGD175XN,115

PMGD175XN,115

僅供參考

型號 PMGD175XN,115
PNEDA編號 PMGD175XN-115
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMGD175XN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMGD175XN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMGD175XN, PMGD175XN數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,173.78 KB)
PDFPMGD175XN數據表 封面
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PMGD175XN規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)900mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs225mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 15V
功率-最大390mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

功率-最大

390W

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.9nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

915pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

1.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 100V

功率-最大

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3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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