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PMDPB42UN,115

PMDPB42UN,115

僅供參考

型號 PMDPB42UN,115
PNEDA編號 PMDPB42UN-115
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDPB42UN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDPB42UN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDPB42UN, PMDPB42UN數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,067.35 KB)
PDFPMDPB42UN數據表 封面
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PMDPB42UN規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds185pF @ 10V
功率-最大510mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN2020-6

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FET類型

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FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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