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PMBFJ309,215

PMBFJ309,215

僅供參考

型號 PMBFJ309,215
PNEDA編號 PMBFJ309-215
描述 JFET N-CH 25V 250MW SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $20.4393
100 ---------- $19.4812
250 ---------- $18.5231
500 ---------- $17.5650
750 ---------- $16.7666
1,000 ---------- $15.9682
庫存 9,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ309資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ309,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ309, PMBFJ309數據表 (總頁數: 15, 大小: 120.67 KB)
PDFPMBFJ310數據表 封面
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PMBFJ309規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)12mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大250mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

150mW

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

107µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

2mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.1pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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