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PDTD123YS,126

PDTD123YS,126

僅供參考

型號 PDTD123YS,126
PNEDA編號 PDTD123YS-126
描述 TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTD123YS資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTD123YS,126
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTD123YS, PDTD123YS數據表 (總頁數: 11, 大小: 241.68 KB)
PDFPDTD123YK數據表 封面
PDTD123YK數據表 頁面 2 PDTD123YK數據表 頁面 3 PDTD123YK數據表 頁面 4 PDTD123YK數據表 頁面 5 PDTD123YK數據表 頁面 6 PDTD123YK數據表 頁面 7 PDTD123YK數據表 頁面 8 PDTD123YK數據表 頁面 9 PDTD123YK數據表 頁面 10 PDTD123YK數據表 頁面 11

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PDTD123YS規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

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系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

100mW

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10 kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

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