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PDTD114EUF

PDTD114EUF

僅供參考

型號 PDTD114EUF
PNEDA編號 PDTD114EUF
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.425W
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTD114EUF資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTD114EUF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTD114EUF, PDTD114EUF數據表 (總頁數: 27, 大小: 3,588.72 KB)
PDFPDTD143XUX數據表 封面
PDTD143XUX數據表 頁面 2 PDTD143XUX數據表 頁面 3 PDTD143XUX數據表 頁面 4 PDTD143XUX數據表 頁面 5 PDTD143XUX數據表 頁面 6 PDTD143XUX數據表 頁面 7 PDTD143XUX數據表 頁面 8 PDTD143XUX數據表 頁面 9 PDTD143XUX數據表 頁面 10 PDTD143XUX數據表 頁面 11

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PDTD114EUF規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡225MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

安裝類型

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包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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5.1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

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