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PDTD114ETR

PDTD114ETR

僅供參考

型號 PDTD114ETR
PNEDA編號 PDTD114ETR
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.425W
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTD114ETR資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTD114ETR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTD114ETR, PDTD114ETR數據表 (總頁數: 18, 大小: 2,532 KB)
PDFPDTD143XTVL數據表 封面
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PDTD114ETR規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡225MHz
功率-最大320mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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500nA

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100mA

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50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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