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PDTA115TE,115

PDTA115TE,115

僅供參考

型號 PDTA115TE,115
PNEDA編號 PDTA115TE-115
描述 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA115TE資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA115TE,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA115TE, PDTA115TE數據表 (總頁數: 18, 大小: 219.83 KB)
PDFPDTA115TS數據表 封面
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PDTA115TE規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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