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PDTA113ZM,315

PDTA113ZM,315

僅供參考

型號 PDTA113ZM,315
PNEDA編號 PDTA113ZM-315
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA113ZM資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA113ZM,315
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA113ZM, PDTA113ZM數據表 (總頁數: 19, 大小: 231.47 KB)
PDFPDTA113ZS數據表 封面
PDTA113ZS數據表 頁面 2 PDTA113ZS數據表 頁面 3 PDTA113ZS數據表 頁面 4 PDTA113ZS數據表 頁面 5 PDTA113ZS數據表 頁面 6 PDTA113ZS數據表 頁面 7 PDTA113ZS數據表 頁面 8 PDTA113ZS數據表 頁面 9 PDTA113ZS數據表 頁面 10 PDTA113ZS數據表 頁面 11

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PDTA113ZM規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝DFN1006-3

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50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

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80 @ 5mA, 10V

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