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PBLS6002D,115

PBLS6002D,115

僅供參考

型號 PBLS6002D,115
PNEDA編號 PBLS6002D-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 22,674
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS6002D資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS6002D,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS6002D, PBLS6002D數據表 (總頁數: 17, 大小: 255.12 KB)
PDFPBLS6002D數據表 封面
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PBLS6002D規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 60V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡185MHz
功率-最大600mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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包裝/箱

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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