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PBLS2022D,115

PBLS2022D,115

僅供參考

型號 PBLS2022D,115
PNEDA編號 PBLS2022D-115
描述 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS2022D資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS2022D,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS2022D, PBLS2022D數據表 (總頁數: 17, 大小: 226.56 KB)
PDFPBLS2022D數據表 封面
PBLS2022D數據表 頁面 2 PBLS2022D數據表 頁面 3 PBLS2022D數據表 頁面 4 PBLS2022D數據表 頁面 5 PBLS2022D數據表 頁面 6 PBLS2022D數據表 頁面 7 PBLS2022D數據表 頁面 8 PBLS2022D數據表 頁面 9 PBLS2022D數據表 頁面 10 PBLS2022D數據表 頁面 11

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PBLS2022D規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 20V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡130MHz
功率-最大760mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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安裝類型

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包裝/箱

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

200MHz, 250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

187mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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