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PBLS2001S,115

PBLS2001S,115

僅供參考

型號 PBLS2001S,115
PNEDA編號 PBLS2001S-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS2001S資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS2001S,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS2001S, PBLS2001S數據表 (總頁數: 17, 大小: 224.79 KB)
PDFPBLS2001S數據表 封面
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PBLS2001S規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 20V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡100MHz
功率-最大1.5W
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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