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PBHV8140Z,115

PBHV8140Z,115

僅供參考

型號 PBHV8140Z,115
PNEDA編號 PBHV8140Z-115
描述 TRANS NPN 400V 1A SOT223
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 14,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBHV8140Z資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBHV8140Z,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
PBHV8140Z, PBHV8140Z數據表 (總頁數: 13, 大小: 269.27 KB)
PDFPBHV8140Z數據表 封面
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PBHV8140Z規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 500mA, 10V
功率-最大1.45W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SC-73

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

SC-75

BUL45D2

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

頻率-過渡

13MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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