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NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG

僅供參考

型號 NXH80B120H2Q0SG
PNEDA編號 NXH80B120H2Q0SG
描述 PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXH80B120H2Q0SG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXH80B120H2Q0SG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
NXH80B120H2Q0SG, NXH80B120H2Q0SG數據表 (總頁數: 10, 大小: 240.54 KB)
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NXH80B120H2Q0SG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)41A
功率-最大103W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce9.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

85nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-25°C ~ 55°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FP7G75US60

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-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

310W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.515nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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1200V

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220A

功率-最大

700W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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