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NXH160T120L2Q2F2SG

NXH160T120L2Q2F2SG

僅供參考

型號 NXH160T120L2Q2F2SG
PNEDA編號 NXH160T120L2Q2F2SG
描述 PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXH160T120L2Q2F2SG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXH160T120L2Q2F2SG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
NXH160T120L2Q2F2SG, NXH160T120L2Q2F2SG數據表 (總頁數: 14, 大小: 223.54 KB)
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NXH160T120L2Q2F2SG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)181A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 160A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce38.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝56-PIM/Q2PACK (93x47)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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200A

功率-最大

780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

530A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Dual INT-A-PAK

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系列

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

690W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

SP6

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

555W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

630nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

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IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.9nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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