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NTLTD7900ZR2G

NTLTD7900ZR2G

僅供參考

型號 NTLTD7900ZR2G
PNEDA編號 NTLTD7900ZR2G
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLTD7900ZR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLTD7900ZR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLTD7900ZR2G, NTLTD7900ZR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 334.57 KB)
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NTLTD7900ZR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 16V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝Micro8™

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

功率-最大

27W (Tc), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 25V

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 30V

功率-最大

900mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

功率-最大

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