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NTLGD3502NT2G

NTLGD3502NT2G

僅供參考

型號 NTLGD3502NT2G
PNEDA編號 NTLGD3502NT2G
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLGD3502NT2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLGD3502NT2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLGD3502NT2G, NTLGD3502NT2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 142.49 KB)
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NTLGD3502NT2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A, 3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 10V
功率-最大1.74W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN (3x3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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