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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

僅供參考

型號 NTJD1155LT1G
PNEDA編號 NTJD1155LT1G
描述 MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 357,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD1155LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD1155LT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD1155LT1G, NTJD1155LT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 127.3 KB)
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NTJD1155LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

281pF @ 15V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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