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NSVT65011MW6T1G

NSVT65011MW6T1G

僅供參考

型號 NSVT65011MW6T1G
PNEDA編號 NSVT65011MW6T1G
描述 TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVT65011MW6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVT65011MW6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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NSVT65011MW6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大380mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SOT-363)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

900 @ 500mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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