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NSVMUN5331DW1T1G

NSVMUN5331DW1T1G

僅供參考

型號 NSVMUN5331DW1T1G
PNEDA編號 NSVMUN5331DW1T1G
描述 TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMUN5331DW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMUN5331DW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVMUN5331DW1T1G, NSVMUN5331DW1T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 74.58 KB)
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  • NSVMUN5331DW1T1G Distributor

NSVMUN5331DW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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