NSVMMUN2236LT1G
僅供參考
| 型號 | NSVMMUN2236LT1G |
| PNEDA編號 | NSVMMUN2236LT1G |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,382 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 七月 5 - 七月 10 (選擇加急運輸) |
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NSVMMUN2236LT1G資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | NSVMMUN2236LT1G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 |
| 數據表 |
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NSVMMUN2236LT1G規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 晶體管類型 | NPN - Pre-Biased |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻-基本（R1） | 100 kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | 100 kOhms |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 500nA |
| 頻率-過渡 | - |
| 功率-最大 | 246mW |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應商設備包裝 | SOT-23-3 (TO-236) |
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 260mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 SOT-723 |
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