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NSVMBD770DW1T1G

NSVMBD770DW1T1G

僅供參考

型號 NSVMBD770DW1T1G
PNEDA編號 NSVMBD770DW1T1G
描述 DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMBD770DW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMBD770DW1T1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSVMBD770DW1T1G, NSVMBD770DW1T1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 52.12 KB)
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NSVMBD770DW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)70V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 35V
電容@ Vr,F1pF @ 20V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

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電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

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