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NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G

僅供參考

型號 NSVJ6904DSB6T1G
PNEDA編號 NSVJ6904DSB6T1G
描述 JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVJ6904DSB6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVJ6904DSB6T1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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NSVJ6904DSB6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 5V
電阻-RDS(On)78 mOhms
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

85 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

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功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

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