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NSVF4009SG4T1G

NSVF4009SG4T1G

僅供參考

型號 NSVF4009SG4T1G
PNEDA編號 NSVF4009SG4T1G
描述 RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF4009SG4T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF4009SG4T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NSVF4009SG4T1G, NSVF4009SG4T1G數據表 (總頁數: 14, 大小: 718.33 KB)
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NSVF4009SG4T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3.5V
頻率-過渡25GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
增益17dB
功率-最大120mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝SC-82FL/MCPH4

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

300MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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MAPR-002731-115M00

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

8.06dB ~ 8.45dB

功率-最大

115W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

增益

21.5dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 3.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

22.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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