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NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

僅供參考

型號 NSVF3007SG3T1G
PNEDA編號 NSVF3007SG3T1G
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF3007SG3T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF3007SG3T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NSVF3007SG3T1G, NSVF3007SG3T1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 485.85 KB)
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NSVF3007SG3T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
增益12dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads
供應商設備包裝3-MCPH

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70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

48 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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