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NST847BPDP6T5G

NST847BPDP6T5G

僅供參考

型號 NST847BPDP6T5G
PNEDA編號 NST847BPDP6T5G
描述 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 229,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NST847BPDP6T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NST847BPDP6T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NST847BPDP6T5G, NST847BPDP6T5G數據表 (總頁數: 7, 大小: 134.4 KB)
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NST847BPDP6T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

3W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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16-SOIC

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-Flatpack

供應商設備包裝

14-Flatpack

BC848CDXV6T5G

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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