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NSS60200LT1G

NSS60200LT1G

僅供參考

型號 NSS60200LT1G
PNEDA編號 NSS60200LT1G
描述 TRANS PNP 60V 2A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 326,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS60200LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS60200LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSS60200LT1G, NSS60200LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.86 KB)
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NSS60200LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic220mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 500mA, 2V
功率-最大460mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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